Mit der erweiterten Fläche ist das IHP in der Lage, Wissenschafts- und Forschungspartnern eine stabile BiCMOS-Technologieplattform zur Verfügung zu stellen und auch die Materialerforschung weiter auszubauen. Ziel ist es, auch in Zukunft Rekorde, wie den schnellsten Silizium-Germanium-Transistor der Welt, aufstellen zu können.
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